额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
DTC115TKAT146引脚图
DTC115TKAT146封装图
DTC115TKAT146封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DTC115TKAT146 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | SMT NPN 50V 100mA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DTC115TKAT146 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SMT NPN 50V 100mA 200mW | 当前型号 | SMT NPN 50V 100mA | 当前型号 | |
型号: DTC143TETL 品牌: 罗姆半导体 封装: EMT-3 NPN 50V 100mA 150mW | 类似代替 | ROHM DTC143TETL 单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 150 mW, 5 mA, 250 hFE | DTC115TKAT146和DTC143TETL的区别 | |
型号: DTC115TUAT106 品牌: 罗姆半导体 封装: UMT3 NPN 50V 100mA | 类似代替 | DTC115TUAT106 编带 | DTC115TKAT146和DTC115TUAT106的区别 | |
型号: DTC114TUA-TP 品牌: 美微科 封装: SOT-323 NPN 50V 100mA | 类似代替 | SOT-323 NPN 50V 100mA | DTC115TKAT146和DTC114TUA-TP的区别 |