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DTC115TKAT146

DTC115TKAT146

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

SMT NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3


DTC115TKAT146中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DTC115TKAT146引脚图与封装图
DTC115TKAT146引脚图

DTC115TKAT146引脚图

DTC115TKAT146封装图

DTC115TKAT146封装图

DTC115TKAT146封装焊盘图

DTC115TKAT146封装焊盘图

在线购买DTC115TKAT146
型号 制造商 描述 购买
DTC115TKAT146 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 SMT NPN 50V 100mA 搜索库存
替代型号DTC115TKAT146
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DTC115TKAT146

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: SMT NPN 50V 100mA 200mW

当前型号

SMT NPN 50V 100mA

当前型号

型号: DTC143TETL

品牌: 罗姆半导体

封装: EMT-3 NPN 50V 100mA 150mW

类似代替

ROHM  DTC143TETL  单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 150 mW, 5 mA, 250 hFE

DTC115TKAT146和DTC143TETL的区别

型号: DTC115TUAT106

品牌: 罗姆半导体

封装: UMT3 NPN 50V 100mA

类似代替

DTC115TUAT106 编带

DTC115TKAT146和DTC115TUAT106的区别

型号: DTC114TUA-TP

品牌: 美微科

封装: SOT-323 NPN 50V 100mA

类似代替

SOT-323 NPN 50V 100mA

DTC115TKAT146和DTC114TUA-TP的区别