DTB713ZMT2L
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTB713ZMT2L中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 200mA
最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 2V
额定功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-723
外形尺寸
封装 SOT-723
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTB713ZMT2L引脚图与封装图 
DTB713ZMT2L引脚图
DTB713ZMT2L封装图
DTB713ZMT2L封装焊盘图
在线购买DTB713ZMT2L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTB713ZMT2L | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | VMT PNP 30V 200mA | 搜索库存 |
替代型号DTB713ZMT2L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTB713ZMT2L 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： VMT PNP | 当前型号 | VMT PNP 30V 200mA | 当前型号 |
| 型号： DTB743XMT2L 品牌： 罗姆半导体 封装： VMT PNP | 完全替代 | VMT PNP 30V 200mA | DTB713ZMT2L和DTB743XMT2L的区别 |
| 型号： DTB723YMT2L 品牌： 罗姆半导体 封装： EMT PNP | 完全替代 | EMT PNP 30V 200mA | DTB713ZMT2L和DTB723YMT2L的区别 |
| 型号： DTB743XETL 品牌： 罗姆半导体 封装： EMT PNP | 类似代替 | EMT PNP 30V 200mA | DTB713ZMT2L和DTB743XETL的区别 |