DTB543EETL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTB543EETL中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.15 W
极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 115 @100mA, 2V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 260 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416
外形尺寸
封装 SOT-416
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTB543EETL引脚图与封装图 
DTB543EETL引脚图
DTB543EETL封装图
DTB543EETL封装焊盘图
在线购买DTB543EETL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTB543EETL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -12 V, -500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm | 搜索库存 |
替代型号DTB543EETL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTB543EETL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SC-75 PNP 0.15W | 当前型号 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -12 V, -500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm | 当前型号 |
| 型号： DTB543EMT2L 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-723 PNP | 完全替代 | VMT PNP 12V 500mA | DTB543EETL和DTB543EMT2L的区别 |