
额定电压DC 50.0 V
额定电流 70.0 mA
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 68
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
封装 SC-75-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR

DTC114YETL引脚图

DTC114YETL封装图

DTC114YETL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DTC114YETL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM DTC114YETL 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.22 电阻比率, SOT-416 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DTC114YETL 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SOT-416 NPN 50V 70mA 0.15W | 当前型号 | ROHM DTC114YETL 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.22 电阻比率, SOT-416 | 当前型号 | |
型号: DTC114YET1G 品牌: 安森美 封装: SOT-416 NPN 50V 100mA 300mW | 功能相似 | NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | DTC114YETL和DTC114YET1G的区别 | |
型号: DDTC114YE-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-523 NPN 50V 100mA 150mW | 功能相似 | 特性•外延平面模具构建•互补PNP类型可用(DDTA)•内置偏置电阻器R1≠R2•无铅/ RoHS标准•“绿色”设备 | DTC114YETL和DDTC114YE-7-F的区别 | |
型号: DTC114YE-TP 品牌: 美微科 封装: SOT-523 NPN 50V 100mA 150TypmW | 功能相似 | 双极晶体管 - 预偏置 NPN 10KOhms 250MHz | DTC114YETL和DTC114YE-TP的区别 |