DTD114GKT146
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTD114GKT146中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 500 mA
额定功率 0.2 W
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 56 @50mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTD114GKT146引脚图与封装图 
DTD114GKT146引脚图
DTD114GKT146封装图
DTD114GKT146封装焊盘图
在线购买DTD114GKT146
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTD114GKT146 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | DTD114GKT146 编带 | 搜索库存 |
替代型号DTD114GKT146
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTD114GKT146 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SMT NPN 50V 500mA | 当前型号 | DTD114GKT146 编带 | 当前型号 |
| 型号： DTD133HKT146 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-346 NPN 50V 500mA | 完全替代 | SMT NPN 50V 500mA | DTD114GKT146和DTD133HKT146的区别 |
| 型号： DTD113ZS 品牌： 罗姆半导体 封装： | 功能相似 | 500毫安/ 50V数字晶体管（带内置式电阻器） 500mA / 50V Digital transistors with built-in resistors | DTD114GKT146和DTD113ZS的区别 |
| 型号： DTD114ESTP 品牌： 罗姆半导体 封装： SC-72 NPN 50V 500mA | 功能相似 | SPT NPN 50V 500mA | DTD114GKT146和DTD114ESTP的区别 |