DTA124EETL
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTA124EETL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -30.0 mA
额定功率 0.15 W
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
外形尺寸
封装 SC-75-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
DTA124EETL引脚图与封装图 
DTA124EETL引脚图
DTA124EETL封装图
DTA124EETL封装焊盘图
在线购买DTA124EETL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA124EETL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 内置在偏置电阻器，R 1 = R 2 = 22kï ???? 。 Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 22kï. | 搜索库存 |
替代型号DTA124EETL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA124EETL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： EMT PNP -50V -30mA 0.15W | 当前型号 | 内置在偏置电阻器，R 1 = R 2 = 22kï ???? 。 Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 22kï. | 当前型号 |
| 型号： DTA124EMT2L 品牌： 罗姆半导体 封装： VMT PNP -50V -30mA | 类似代替 | 双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 30MA | DTA124EETL和DTA124EMT2L的区别 |
| 型号： DTA124XETL 品牌： 罗姆半导体 封装： EMT-3 PNP -50V -50mA | 类似代替 | EMT PNP 50V 100mA | DTA124EETL和DTA124XETL的区别 |
| 型号： DDTA124EE-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-523 PNP 150mW | 功能相似 | Trans Digital BJT PNP 50V 30mA Automotive 3Pin SOT-523 T/R | DTA124EETL和DDTA124EE-7-F的区别 |