额定功率 0.2 W
输出电压 50 mV
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 UMT-3F-3
封装 UMT-3F-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
DTC044EUBTL引脚图
DTC044EUBTL封装图
DTC044EUBTL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DTC044EUBTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | DTC044EUBTL 编带 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DTC044EUBTL 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: UMT-3 NPN | 当前型号 | DTC044EUBTL 编带 | 当前型号 | |
型号: DTC043ZUBTL 品牌: 罗姆半导体 封装: UMT-3 0.2W | 完全替代 | NPN 晶体管,ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | DTC044EUBTL和DTC043ZUBTL的区别 | |
型号: DTC015EUBTL 品牌: 罗姆半导体 封装: UMT-3 NPN | 完全替代 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm | DTC044EUBTL和DTC015EUBTL的区别 | |
型号: DTC014YMT2L 品牌: 罗姆半导体 封装: VMT-3 NPN 0.15W | 类似代替 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率 | DTC044EUBTL和DTC014YMT2L的区别 |