DTA114YKAT146
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTA114YKAT146中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -100 mA
额定功率 0.2 W
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 68
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
DTA114YKAT146引脚图与封装图 
DTA114YKAT146引脚图
DTA114YKAT146封装图
DTA114YKAT146封装焊盘图
在线购买DTA114YKAT146
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA114YKAT146 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM DTA114YKAT146 单晶体管 双极, 数字式, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 68 hFE | 搜索库存 |
替代型号DTA114YKAT146
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA114YKAT146 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 3SMT PNP -40V -100mA 0.2W | 当前型号 | ROHM DTA114YKAT146 单晶体管 双极, 数字式, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 68 hFE | 当前型号 |
| 型号： MMUN2114LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -50V -100mA 400mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2114LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-23 | DTA114YKAT146和MMUN2114LT1G的区别 |
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