DD1217AS-H-5R6N=P3

muRata(村田) 被动器件

功率电感SMD, 5.6 µH, 5.4 A, 绕线, 6.1 A, DEM8045C_DD Series, 8mm x 8mm x 4.5mm

5.6 µH 屏蔽 Drum Core，Wirewound 器 5.4 A 22.8 毫欧最大非标准

得捷:
FIXED IND 5.6UH 5.4A 22.8MOHM SM

e络盟:
功率电感SMD, 5.6 µH, 5.4 A, 绕线, 6.1 A, DEM8045C_DD Series, 8mm x 8mm x 4.5mm

艾睿:
Inductor Power Shielded Wirewound 5.6uH 30% 100KHz Ferrite 5.4A 22.8mOhm DCR 3131 T/R

Verical:
Inductor Power Shielded Wirewound 5.6uH 30% 100KHz Ferrite 5.4A 0.0228Ohm DCR 3131 T/R

DD1217AS-H-5R6N=P3中文资料参数规格

技术参数

额定电流 5.4 A

容差 ±30 %

电感 5.6 µH

电感公差 ±30 %

测试频率 100 kHz

电阻DC） ≤22.8 mΩ

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

电阻DC Max 0.0228 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 8mm x 8mm x 4.5mm

外形尺寸

高度 4.5 mm

封装 8mm x 8mm x 4.5mm

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

DD1217AS-H-5R6N=P3引脚图与封装图

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DD1217AS-H-5R6N=P3	muRata 村田	功率电感SMD, 5.6 µH, 5.4 A, 绕线, 6.1 A, DEM8045C_DD Series, 8mm x 8mm x 4.5mm	搜索库存