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DFE252012R-H-1R0M=P2

DFE252012R-H-1R0M=P2

数据手册.pdf
muRata(村田) 被动器件

1008 1uH ±20% 3.1A

1µH Shielded Wirewound Inductor 3.1A 49mOhm Max 1008 2520 Metric


得捷:
FIXED IND 1UH 3.1A 49 MOHM SMD


艾睿:
Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.1A 0.049Ohm DCR 1008 T/R


安富利:
Ind Power Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Metal 3.6A 1008 T/R


Verical:
Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.1A 0.049Ohm DCR 1008 T/R


儒卓力:
**DFE252012R 1,0uH 3,1A 20% Toko **


Win Source:
FIXED IND 1UH 3.1A 49 MOHM SMD


DFE252012R-H-1R0M=P2中文资料参数规格
技术参数

额定电流 3.1 A

容差 ±20 %

电感 1 µH

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC) ≤49 mΩ

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电阻DC Max 0.049 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 1008

外形尺寸

长度 2.5 mm

宽度 2 mm

高度 1.2 mm

封装 1008

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

DFE252012R-H-1R0M=P2引脚图与封装图
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