DHG50X1200NA
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
DHG50X1200NA中文资料参数规格
技术参数
正向电压 2.12V @25A
反向恢复时间 75 ns
正向电压Max 2.12V @25A
正向电流Max 25 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DHG50X1200NA引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DHG50X1200NA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DHG50X1200NA | IXYS Semiconductor | DHG Series 1200V 25A High Performance Fast Recovery Diode - SOT227B | 搜索库存 |