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DFE252010F-1R0M=P2

DFE252010F-1R0M=P2

数据手册.pdf
muRata(村田) 被动器件

功率电感SMD, 1 µH, 3.1 A, 绕线, 4.1 A, DFE252010F Series, 2.5mm x 2mm x 1mm

1 µH 屏蔽 - 器 3.1 A 48 毫欧最大 1008(2520 公制)


得捷:
FIXED IND 1UH 3.1A 48 MOHM SMD


立创商城:
1uH ±20% 3.1A 48mΩ


贸泽:
Fixed Inductors 1.0uH 48mOhms 4.1A 2.5x2.0mm 20%


e络盟:
功率电感SMD, 1 µH, 3.1 A, 绕线, 4.1 A, DFE252010F Series, 2.5mm x 2mm x 1mm


艾睿:
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.1A 0.048Ohm DCR 1008 T/R


Verical:
Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.1A 0.048Ohm DCR 1008 T/R


DFE252010F-1R0M=P2中文资料参数规格
技术参数

额定电流 3.1 A

容差 ±20 %

电感 1 µH

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC) ≤48 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电阻DC Max 0.048 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1008

外形尺寸

长度 2.5 mm

宽度 2 mm

高度 1 mm

封装 1008

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

DFE252010F-1R0M=P2引脚图与封装图
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DFE252010F-1R0M=P2 muRata 村田 功率电感SMD, 1 µH, 3.1 A, 绕线, 4.1 A, DFE252010F Series, 2.5mm x 2mm x 1mm 搜索库存