DFE252012F-4R7M=P2

muRata(村田) 被动器件

功率电感SMD, 4.7 µH, 1.5 A, 绕线, 2.1 A, DFE252012F Series, 2.5mm x 2mm x 1.2mm

4.7 µH 屏蔽 - 器 1.5 A 190 毫欧最大 1008（2520 公制）

得捷:
FIXED IND 4.7UH 1.5A 190MOHM SMD

欧时:
Fixed inductor 1008 4.7uH 2.1A

立创商城:
4.7uH ±20%

艾睿:
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.5A 0.19Ohm DCR 1008 T/R

安富利:
FIXED IND 4.7UH 1.5A 190 MOHM

Verical:
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.5A 190mOhm DCR 1008 T/R

DFE252012F-4R7M=P2中文资料参数规格

技术参数

额定电流 1.5 A

容差 ±20 %

电感 4.7 µH

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC） ≤190 mΩ

电阻DC Max 0.19 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1008

外形尺寸

高度 1.2 mm

封装 1008

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

DFE252012F-4R7M=P2引脚图与封装图

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DFE252012F-4R7M=P2	muRata 村田	功率电感SMD, 4.7 µH, 1.5 A, 绕线, 2.1 A, DFE252012F Series, 2.5mm x 2mm x 1.2mm	搜索库存