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DFE252012F-3R3M=P2

DFE252012F-3R3M=P2

数据手册.pdf
muRata(村田) 被动器件

功率电感SMD, 3.3 µH, 1.8 A, 绕线, 2.5 A, DFE252012F Series, 2.5mm x 2mm x 1.2mm

屏蔽 - 器 135 毫欧最大 1008(2520 公制)


得捷:
FIXED IND 3.3UH 1.8A 135MOHM SMD


立创商城:
3.3uH ±20% 2.8A 110mΩ


贸泽:
Fixed Inductors 3.3uH 135mOhms 2.5A 2.5x2.0mm 20%


艾睿:
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 3.3uH 20% 1MHz Metal 1.8A 0.135Ohm DCR 1008 T/R


Verical:
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 3.3uH 20% 1MHz Metal 1.8A 0.135Ohm DCR 1008 T/R


DFE252012F-3R3M=P2中文资料参数规格
技术参数

额定电流 1.8 A

容差 ±20 %

电感 3.3 µH

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC) ≤135 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 40 ℃

电阻DC Max 0.135 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1008

外形尺寸

长度 2.5 mm

宽度 2 mm

高度 1.2 mm

封装 1008

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

DFE252012F-3R3M=P2引脚图与封装图
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在线购买DFE252012F-3R3M=P2
型号 制造商 描述 购买
DFE252012F-3R3M=P2 muRata 村田 功率电感SMD, 3.3 µH, 1.8 A, 绕线, 2.5 A, DFE252012F Series, 2.5mm x 2mm x 1.2mm 搜索库存
替代型号DFE252012F-3R3M=P2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DFE252012F-3R3M=P2

品牌: muRata 村田

封装: 3.3uH 1.8A

当前型号

功率电感SMD, 3.3 µH, 1.8 A, 绕线, 2.5 A, DFE252012F Series, 2.5mm x 2mm x 1.2mm

当前型号

型号: MPI2520R1-3R3-R

品牌: 伊顿巴斯曼

封装: 3.3uH 1.8A

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1008 3.3uH ±20% 1.8A

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