DF2B6.8E,L3F
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
DF2B6.8E,L3F中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.15 W
最小反向击穿电压 5.8 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-523
外形尺寸
高度 0.6 mm
封装 SOD-523
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DF2B6.8E,L3F引脚图与封装图 
DF2B6.8E,L3F引脚图
DF2B6.8E,L3F封装图
DF2B6.8E,L3F封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DF2B6.8E,L3F | Toshiba 东芝 | ESD Suppressor Diode Arrays ±8kV 2Pin ESC | 搜索库存 |