DF2S30CT,L3F
数据手册.pdfToshiba(东芝)
主动器件
DF2S30CT,L3F中文资料参数规格
技术参数
测试电流 2 mA
最大反向击穿电压 32 V
最小反向击穿电压 28 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-882
外形尺寸
封装 SOD-882
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DF2S30CT,L3F引脚图与封装图 
DF2S30CT,L3F引脚图
DF2S30CT,L3F封装图
DF2S30CT,L3F封装焊盘图
在线购买DF2S30CT,L3F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DF2S30CT,L3F | Toshiba 东芝 | Tvs Diode 23vwm | 搜索库存 |