DSS10-01A
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
DSS10-01A中文资料参数规格
技术参数
正向电压 840mV @10A
耗散功率 90 W
最大正向浪涌电流（Ifsm） 120 A
正向电压Max 840mV @10A
正向电流Max 10 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-220-2
外形尺寸
封装 TO-220-2
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DSS10-01A引脚图与封装图
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在线购买DSS10-01A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DSS10-01A | IXYS Semiconductor | DSS Series 100V 10A Through Hole Schottky Diode | 搜索库存 |
替代型号DSS10-01A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DSS10-01A 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-2 | 当前型号 | DSS Series 100V 10A Through Hole Schottky Diode | 当前型号 |
| 型号： MBR10100G 品牌： 安森美 封装： TO-220-2 100V 10A 700mV | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MBR10100G 肖特基整流器, 单, 100 V, 10 A, TO-220AC, 2 引脚, 800 mV | DSS10-01A和MBR10100G的区别 |
| 型号： MBR1060G 品牌： 安森美 封装： TO-220-2 60V 10A 700mV | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MBR1060G 肖特基整流器, 单, 60 V, 10 A, TO-220AC, 2 引脚, 800 mV | DSS10-01A和MBR1060G的区别 |
| 型号： DSEI60-06A 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247AD 600V 60A | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR DSEI60-06A 快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 60 A, 1.8 V, 35 ns, 550 A | DSS10-01A和DSEI60-06A的区别 |