DBD10G-E中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.05V @500mA
最大反向电压（Vrrm） 600V
正向电流 1 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 30 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 DIP-4
外形尺寸
长度 6.8 mm
宽度 6.5 mm
高度 2.5 mm
封装 DIP-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
DBD10G-E引脚图与封装图
暂无图片
替代型号DBD10G-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DBD10G-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 4-DIP | 当前型号 | 桥式整流器 REC 1A 600V BRIDGE | 当前型号 |
| 型号： DBD10G-TM-E 品牌： 安森美 封装： 4-SMD | 完全替代 | 600V 1A | DBD10G-E和DBD10G-TM-E的区别 |
| 型号： S1NB60-7101 品牌： 新电元 封装： 1NDIP | 功能相似 | 600V 1A | DBD10G-E和S1NB60-7101的区别 |
| 型号： S1NB60-7102 品牌： 新电元 封装： 1NSMD | 功能相似 | 桥式整流器 VRM=600 IFSM=30 | DBD10G-E和S1NB60-7102的区别 |