DB101G
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
主动器件
正向电压 1.1V @1A
正向电流 1 A
最大正向浪涌电流(Ifsm) 30 A
正向电压Max 1.1 V
正向电流Max 1 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 EDIP-4
高度 3.3 mm
封装 EDIP-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DB101G | GeneSiC Semiconductor | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A 50P/35R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DB101G 品牌: GeneSiC Semiconductor 封装: 4-EDIP | 当前型号 | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A 50P/35R | 当前型号 | |
型号: DB101 品牌: 台湾半导体 封装: | 功能相似 | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 50V VRRM, Silicon, PLASTIC, DB, 4 PIN | DB101G和DB101的区别 |