DMN4800LSSL
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
DMN4800LSSL中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.011 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.46 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 30 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
DMN4800LSSL引脚图与封装图
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在线购买DMN4800LSSL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMN4800LSSL | Vishay Semiconductor 威世 | DIODES INC. DMN4800LSSL 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 6.7 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V | 搜索库存 |
替代型号DMN4800LSSL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DMN4800LSSL 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOIC N-Channel | 当前型号 | DIODES INC. DMN4800LSSL 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 6.7 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V | 当前型号 |
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