DMN2990UDJ
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
晶体管
DMN2990UDJ中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.6 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
阈值电压 400 mV
漏源极电压Vds 20 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
引脚数 6
封装 SOT-963
外形尺寸
封装 SOT-963
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
DMN2990UDJ引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DMN2990UDJ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMN2990UDJ | Vishay Semiconductor 威世 | DIODES INC. DMN2990UDJ 晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 20 V, 0.6 ohm, 4.5 V, 400 mV | 搜索库存 |