DMN3007LSS
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
DMN3007LSS中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.005 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 16A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Automotive, Military, Defence, Aerospace, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
军工级 Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17
DMN3007LSS引脚图与封装图
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在线购买DMN3007LSS
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMN3007LSS | Vishay Semiconductor 威世 | DIODES INC. DMN3007LSS 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 16 A, 30 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.3 V | 搜索库存 |
替代型号DMN3007LSS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DMN3007LSS 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOIC N-Channel 30V 16A | 当前型号 | DIODES INC. DMN3007LSS 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 16 A, 30 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.3 V | 当前型号 |
| 型号： IRF7805ZPBF 品牌： 英飞凌 封装： SOIC N-Channel 30V 16A | 功能相似 | INFINEON IRF7805ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0055 ohm, 10 V, 2.25 V | DMN3007LSS和IRF7805ZPBF的区别 |