DF2329BVTE25WV
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Renesas Electronics
瑞萨电子
主动器件
DF2329BVTE25WV中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 25.0 MHz, 25.0 MHz max
RAM大小 32K x 8
I/O引脚数 86
存取时间 25.0 µs
模数转换数ADC 1
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
数模转换数DAC 1
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 120
封装 TQFP-120
外形尺寸
封装 TQFP-120
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DF2329BVTE25WV引脚图与封装图
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在线购买DF2329BVTE25WV
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DF2329BVTE25WV | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 16位微控制器 - MCU H8S2329 384kB/ 32kB, TFP120 -40TO+85C | 搜索库存 |
替代型号DF2329BVTE25WV
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DF2329BVTE25WV 品牌： Renesas Electronics 瑞萨电子 封装： 120-TQFP 25MHz 120Pin | 当前型号 | 16位微控制器 - MCU H8S2329 384kB/ 32kB, TFP120 -40TO+85C | 当前型号 |
| 型号： DF2329BVTE25V 品牌： 瑞萨电子 封装： TQFP 25MHz 120Pin | 完全替代 | MCU 16Bit H8S CISC 384KB Flash 3.3V 120Pin TQFP | DF2329BVTE25WV和DF2329BVTE25V的区别 |