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DTC114TE-TP

DTC114TE-TP

数据手册.pdf

DTC114TE-TP 编带

Thanks to , easily integrate NPN digital transistors into digital signal processing circuits. This product"s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 100@1mA@5 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.3@1mA@10mA V. Its maximum power dissipation is 150 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. It is made in a single configuration. This transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

DTC114TE-TP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-523

外形尺寸

封装 SOT-523

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DTC114TE-TP引脚图与封装图
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在线购买DTC114TE-TP
型号 制造商 描述 购买
DTC114TE-TP Micro Commercial Components 美微科 DTC114TE-TP 编带 搜索库存
替代型号DTC114TE-TP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DTC114TE-TP

品牌: Micro Commercial Components 美微科

封装: SOT-523 NPN 50V 100mA 150mW

当前型号

DTC114TE-TP 编带

当前型号

型号: DTC114YKAT146

品牌: 罗姆半导体

封装: SOT-346 NPN 50V 70mA 200mW

功能相似

ROHM  DTC114YKAT146  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 68 hFE

DTC114TE-TP和DTC114YKAT146的区别

型号: DTA124EEBTL

品牌: 罗姆半导体

封装: EMT-3F PNP

功能相似

晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 22 kohm, 22 kohm

DTC114TE-TP和DTA124EEBTL的区别

型号: NTE123

品牌: NTE Electronics

封装: TO-39 NPN 800mW

功能相似

NTE ELECTRONICS  NTE123  双极性晶体管, NPN, 40V, TO-39

DTC114TE-TP和NTE123的区别