DRA2113Z0L

Panasonic(松下) 分立器件

Mini3-G3-B PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin Mini3-G3-B T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

DRA2113Z0L中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 10V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DRA2113Z0L引脚图与封装图

DRA2113Z0L引脚图

DRA2113Z0L封装图

DRA2113Z0L封装焊盘图

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