DS1350WP-100+
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
电子元器件分类
DS1350WP-100+中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 4000000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerCap-34
外形尺寸
长度 23.5 mm
宽度 25.02 mm
高度 2.03 mm
封装 PowerCap-34
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DS1350WP-100+引脚图与封装图 
DS1350WP-100+引脚图
DS1350WP-100+封装图
DS1350WP-100+封装焊盘图
在线购买DS1350WP-100+
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS1350WP-100+ | Maxim Integrated 美信 | NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor | 搜索库存 |
替代型号DS1350WP-100+
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS1350WP-100+ 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： PWRCP 4000000B 3.3V 100ns | 当前型号 | NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor | 当前型号 |
| 型号： DS1350WP-100IND+ 品牌： 美信 封装： PowerCap 4000000B 3.3V 100ns | 完全替代 | 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor | DS1350WP-100+和DS1350WP-100IND+的区别 |
| 型号： DS1350WP-100IND 品牌： 美信 封装： DMA 4000000B 3.3V 100ns | 完全替代 | 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor | DS1350WP-100+和DS1350WP-100IND的区别 |
| 型号： DS1350WP-150 品牌： 美信 封装： 4000000B 3.3V 150ns | 类似代替 | 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor | DS1350WP-100+和DS1350WP-150的区别 |