电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 150 GHz
存取时间 150 ns
内存容量 256000 B
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
安装方式 Surface Mount
封装 PowerCap-34
宽度 25.02 mm
封装 PowerCap-34
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DS1230WP-150+引脚图
DS1230WP-150+封装图
DS1230WP-150+封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DS1230WP-150+ | Maxim Integrated 美信 | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 3.3V 34Pin PowerCap Module | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DS1230WP-150+ 品牌: Maxim Integrated 美信 封装: PowerCap 256000B 3.3V 150ns | 当前型号 | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 3.3V 34Pin PowerCap Module | 当前型号 | |
型号: DS1230WP-150 品牌: 美信 封装: 34-PowerCap 256000B 3.3V 150ns 34Pin | 完全替代 | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 3.3V 34Pin PowerCap Module | DS1230WP-150+和DS1230WP-150的区别 | |
型号: DS1230WP-150-IND 品牌: 达拉斯半导体 封装: | 功能相似 | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 150ns, CMOS, POWERCAP MODULE-34 | DS1230WP-150+和DS1230WP-150-IND的区别 |