DS1220Y-200+

Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

IC, NVRAM CMOS 16K, 1220, DIP24; Memory Size: 16Kbit; Memory Configuration: 2048 x 8; NVRAM Features: Internal Batter...

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 16Kb 2K x 8 Parallel 200ns 24-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP

Win Source:
IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP

DS1220Y-200+中文资料参数规格

技术参数

存取时间 200 ns

内存容量 2000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

引脚数 24

封装 EDIP-24

外形尺寸

宽度 18.29 mm

封装 EDIP-24

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DS1220Y-200+引脚图与封装图

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DS1220Y-200+	Maxim Integrated 美信	IC, NVRAM CMOS 16K, 1220, DIP24; Memory Size: 16Kbit; Memory Configuration: 2048 x 8; NVRAM Features: Internal Batter...	搜索库存