DS1220Y-200IND+

Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 16Kb 2K x 8 Parallel 200ns 24-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

贸泽:
NVRAM 16K Nonvolatile SRAM

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP

DS1220Y-200IND+中文资料参数规格

技术参数

存取时间 200 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

封装 EDIP-24

外形尺寸

长度 38.1 mm

宽度 18.29 mm

高度 10.67 mm

封装 EDIP-24

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DS1220Y-200IND+引脚图与封装图

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