DS1220Y-150+

Maxim Integrated(美信) 主动器件

Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 150ns, CMOS, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-24

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 16Kb 2K x 8 Parallel 150ns 24-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

贸泽:
NVRAM 16K Nonvolatile SRAM

安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP

DS1220Y-150+中文资料参数规格

技术参数

存取时间 150 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-24

外形尺寸

长度 38.1 mm

宽度 18.29 mm

高度 10.67 mm

封装 DIP-24

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

DS1220Y-150+引脚图与封装图

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DS1220Y-150+	Maxim Integrated 美信	Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 150ns, CMOS, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-24	搜索库存