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DS1220AD-100+

DS1220AD-100+

数据手册.pdf
Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

RAM，Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。

非易失 RAM，

### 非易失 RAM NVRAM

NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。


得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP


欧时:
### 非易失 RAM，Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。


立创商城:
DS1220AD 100+


安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP


DS1220AD-100+中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 16000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 24

封装 DIP-24

外形尺寸

长度 34.04 mm

宽度 18.29 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-24

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DS1220AD-100+引脚图与封装图
DS1220AD-100+引脚图

DS1220AD-100+引脚图

DS1220AD-100+封装图

DS1220AD-100+封装图

DS1220AD-100+封装焊盘图

DS1220AD-100+封装焊盘图

在线购买DS1220AD-100+
型号 制造商 描述 购买
DS1220AD-100+ Maxim Integrated 美信 RAM，Maxim Integrated ### 非易失 RAM NVRAM NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。 搜索库存
替代型号DS1220AD-100+
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： DS1220AD-100+

品牌： Maxim Integrated 美信

封装： DIP 16000B 5V 100ns 24Pin

当前型号

RAM，Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。

当前型号

型号： DS1220AD-100

品牌： 美信

封装： DIP 16000B 5V 100ns 24Pin

完全替代

16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM

DS1220AD-100+和DS1220AD-100的区别

型号： DS1220AD-200

品牌： 美信

封装： EDIP 2000B 5V 200ns 24Pin

类似代替

IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIP

DS1220AD-100+和DS1220AD-200的区别

型号： DS1220AD-150

品牌： 美信

封装： DIP 2000B 5V 150ns 24Pin

类似代替

16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM

DS1220AD-100+和DS1220AD-150的区别