锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

DTA114YE
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 主动器件

DTA114YE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -70mA 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 0.21 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| Feature •Digital transistors built-in resistor •Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors see equivalent circuit. •The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects. •Only the on/off conditions need to be set for operation, making device design easy 描述与应用| 特点 •数字(内置电阻) •内置启用偏置电阻器的逆变器电路的配置,而无需连接外部输入电阻(见等效电路)。 •偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离,允许输入的正偏压。他们也有优势,几乎完全消除了寄生效应。 •只有开/关条件需要设置操作,使装置的设计容易 •高密度安装就可以实现。

DTA114YE中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 -50V

集电极最大允许电流 -0.1A

封装参数

封装 SOT-523

外形尺寸

封装 SOT-523

其他

产品生命周期 Active

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

DTA114YE引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DTA114YE
型号 制造商 描述 购买
DTA114YE ROHM Semiconductor 罗姆半导体 DTA114YE 搜索库存
替代型号DTA114YE
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DTA114YE

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: SOT-523/EMT3 PNP

当前型号

DTA114YE

当前型号

型号: DTA114YETL

品牌: 罗姆半导体

封装: SOT-416 PNP -50V -70mA 0.15W

功能相似

PNP -100mA -50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管) PNP -100mA -50V Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors

DTA114YE和DTA114YETL的区别

型号: DDTA114YE-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-523 PNP 0.15W

功能相似

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3Pin SOT-523 T/R

DTA114YE和DDTA114YE-7-F的区别

型号: DDTA114YE-7

品牌: 美台

封装: SOT-523-3 PNP

功能相似

TRANS PREBIAS PNP 150mW SOT523

DTA114YE和DDTA114YE-7的区别