额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.2 W
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
DTC123JKAT146引脚图
DTC123JKAT146封装图
DTC123JKAT146封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DTC123JKAT146 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM DTC123JKAT146 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率, SC-59 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DTC123JKAT146 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SOT-346 NPN 50V 100mA 200mW | 当前型号 | ROHM DTC123JKAT146 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率, SC-59 | 当前型号 | |
型号: DTC123TKAT146 品牌: 罗姆半导体 封装: SMT NPN 50V 100mA | 类似代替 | DTC123TKA 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 数字晶体管 - SMT-3 | DTC123JKAT146和DTC123TKAT146的区别 | |
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型号: BCR108E6327HTSA1 品牌: 英飞凌 封装: SOT-23 NPN 50V 100mA 200mW | 功能相似 | Infineon BCR108E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 SOT-23封装 | DTC123JKAT146和BCR108E6327HTSA1的区别 |