DTDG14GPT100
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTDG14GPT100中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 1.00 A
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 300 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
增益带宽 80 MHz
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89-3
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
DTDG14GPT100引脚图与封装图 
DTDG14GPT100引脚图
DTDG14GPT100封装图
DTDG14GPT100封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTDG14GPT100 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 1A / 60V数字晶体管（带有内置电阻和齐纳二极管） 1A / 60V Digital Transistor with built-in resistor and zener diode | 搜索库存 |