DTC115EUAT106
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTC115EUAT106中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 20.0 mA
额定功率 0.2 W
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 82
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.35 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-323-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
DTC115EUAT106引脚图与封装图 
DTC115EUAT106引脚图
DTC115EUAT106封装图
DTC115EUAT106封装焊盘图
在线购买DTC115EUAT106
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTC115EUAT106 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管 | 搜索库存 |
替代型号DTC115EUAT106
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTC115EUAT106 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-323 NPN 50V 20mA 200mW | 当前型号 | NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管 | 当前型号 |
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