DTA143ZKAT146
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTA143ZKAT146中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
额定功率 0.2 W
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
宽度 1.6 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
DTA143ZKAT146引脚图与封装图 
DTA143ZKAT146引脚图
DTA143ZKAT146封装图
DTA143ZKAT146封装焊盘图
在线购买DTA143ZKAT146
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA143ZKAT146 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | PNP -0.1A -50V偏置电阻晶体管 | 搜索库存 |
替代型号DTA143ZKAT146
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA143ZKAT146 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-346 PNP -50V -100mA 200mW | 当前型号 | PNP -0.1A -50V偏置电阻晶体管 | 当前型号 |
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| 型号： MMUN2133LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -50V -100mA 400mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2133LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 10 电阻比率, SOT-23 | DTA143ZKAT146和MMUN2133LT1G的区别 |
| 型号： MUN5133T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 PNP -50V -100mA 310mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MUN5133T1G 晶体管 双极预偏置/数字, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率, SC-70 新 | DTA143ZKAT146和MUN5133T1G的区别 |