
额定电压DC 50.0 V
额定电流 70.0 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 VMT-3
宽度 0.8 mm
封装 VMT-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC

DTC114YMT2L引脚图

DTC114YMT2L封装图

DTC114YMT2L封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DTC114YMT2L | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM DTC114YMT2L 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率, SC-105AA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DTC114YMT2L 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SC-105AA NPN 50V 70mA 0.15W | 当前型号 | ROHM DTC114YMT2L 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率, SC-105AA | 当前型号 | |
型号: DTC114EKAT146 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-346 NPN 50V 50mA 200mW | 类似代替 | ROHM DTC114EKAT146 单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE | DTC114YMT2L和DTC114EKAT146的区别 | |
型号: DTC114EETL 品牌: 罗姆半导体 封装: EMT NPN 50V 50mA 150mW | 类似代替 | ROHM DTC114EETL 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 150 mW, 100 mA, 30 hFE | DTC114YMT2L和DTC114EETL的区别 | |
型号: DTC114TMT2L 品牌: 罗姆半导体 封装: VMT N-Channel 50V 100mA 150mW | 类似代替 | DTC114TMT2L 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k sot-723/VMT3 marking/标记 4 | DTC114YMT2L和DTC114TMT2L的区别 |