DTC114EMT2L
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTC114EMT2L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 50.0 mA
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 VMT-3
外形尺寸
长度 1.3 mm
宽度 0.9 mm
高度 0.45 mm
封装 VMT-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
DTC114EMT2L引脚图与封装图 
DTC114EMT2L引脚图
DTC114EMT2L封装图
DTC114EMT2L封装焊盘图
在线购买DTC114EMT2L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTC114EMT2L | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | DTC114EM 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 数字晶体管 - VMT-3 | 搜索库存 |
替代型号DTC114EMT2L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTC114EMT2L 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： VMT3 NPN 50V 50mA 0.15W | 当前型号 | DTC114EM 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 数字晶体管 - VMT-3 | 当前型号 |
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