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DS28E80Q+U

DS28E80Q+U

数据手册.pdf

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS28E80Q+U  EEPROM, 2 KB, 256 x 8位, 串行, TDFN, 6 引脚

EEPROM Memory IC 2Kb 2K x 1 1-Wire® 2µs 6-TDFN-EP 3x3


得捷:
IC EEPROM 2KBIT 1-WIRE 6TDFN


e络盟:
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS28E80Q+U  EEPROM, 2 KB, 256 x 8位, 串行, TDFN, 6 引脚


安富利:
Gamma Radiation Resistant 1-Wire Memory 6-Pin TDFN EP


Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS28E80Q+U  SERIAL EEPROM, 2KBIT, TDFN-6


DS28E80Q+U中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.97V min

针脚数 6

内存容量 2000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.97V ~ 3.63V

电源电压Max 3.63 V

电源电压Min 2.97 V

封装参数

引脚数 6

封装 TDFN-6

外形尺寸

封装 TDFN-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

DS28E80Q+U引脚图与封装图
DS28E80Q+U引脚图

DS28E80Q+U引脚图

DS28E80Q+U封装图

DS28E80Q+U封装图

DS28E80Q+U封装焊盘图

DS28E80Q+U封装焊盘图

在线购买DS28E80Q+U
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DS28E80Q+U Maxim Integrated 美信 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS28E80Q+U  EEPROM, 2 KB, 256 x 8位, 串行, TDFN, 6 引脚 搜索库存