电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max
针脚数 24
时钟频率 150 GHz
存取时间 150 ns
内存容量 2000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.25V
电源电压Max 5.25 V
电源电压Min 4.75 V
安装方式 Through Hole
引脚数 24
封装 EDIP-24
长度 34.04 mm
宽度 18.29 mm
高度 9.4 mm
封装 EDIP-24
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
制造应用 Embedded Design & Development
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DS1220AB-150+引脚图
DS1220AB-150+封装图
DS1220AB-150+封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DS1220AB-150+ | Maxim Integrated 美信 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1220AB-150+ 芯片, 存储器, NVRAM | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DS1220AB-150+ 品牌: Maxim Integrated 美信 封装: DIP 2000B 5V 150ns 24Pin | 当前型号 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1220AB-150+ 芯片, 存储器, NVRAM | 当前型号 | |
型号: DS1220AB-150 品牌: 美信 封装: 24-DIP 2000B 5V 150ns 24Pin | 完全替代 | Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 150ns, CMOS, PDIP24, 0.72INCH, EXTENDED, DIP-24 | DS1220AB-150+和DS1220AB-150的区别 | |
型号: DS1220AB-200+ 品牌: 美信 封装: DIP 2000B 5V 200ns 24Pin | 类似代替 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1220AB-200+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1220AB-150+和DS1220AB-200+的区别 | |
型号: DS1220AB-120+ 品牌: 美信 封装: EDIP 2000B 4.75V 24Pin | 类似代替 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1220AB-120+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1220AB-150+和DS1220AB-120+的区别 |