DS1230Y-200+
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
主动器件
DS1230Y-200+中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
针脚数 28
时钟频率 200 GHz
存取时间 200 ns
内存容量 32000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 EDIP-28
外形尺寸
长度 39.37 mm
宽度 18.8 mm
高度 9.35 mm
封装 EDIP-28
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
制造应用 嵌入式设计与开发, Embedded Design & Development
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DS1230Y-200+引脚图与封装图 
DS1230Y-200+引脚图
DS1230Y-200+封装图
DS1230Y-200+封装焊盘图
在线购买DS1230Y-200+
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS1230Y-200+ | Maxim Integrated 美信 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-200+ 芯片, 存储器, NVRAM | 搜索库存 |
替代型号DS1230Y-200+
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS1230Y-200+ 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： DIP 32000B 5V 200ns 28Pin | 当前型号 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-200+ 芯片, 存储器, NVRAM | 当前型号 |
| 型号： DS1230Y-200 品牌： 美信 封装： EDIP 32000B 5V 200ns 28Pin | 完全替代 | IC NVSRAM 256Kbit 200NS 28DIP | DS1230Y-200+和DS1230Y-200的区别 |
| 型号： DS1230Y-100+ 品牌： 美信 封装： DIP 32000B 5V 100ns 28Pin | 类似代替 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-100+ NVSRAM, 256K, FULLY STATIC, 1230 新 | DS1230Y-200+和DS1230Y-100+的区别 |
| 型号： DS1230Y-85+ 品牌： 美信 封装： EDIP 32000B 4.5V 28Pin | 类似代替 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-85+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1230Y-200+和DS1230Y-85+的区别 |