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DS1230Y-150+

DS1230Y-150+

数据手册.pdf
Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-150+  芯片, 存储器, NVRAM

静态 RAM,


得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP


欧时:
256KBIT NV SRAM PARALLEL 5V 150NS EDIP28


立创商城:
DS1230Y 150+


e络盟:
非易失随机存储器 NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8位, 150 ns, EDIP


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin EDIP


Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-150+  NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8bit, 150 ns


Win Source:
IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28EDIP


DS1230Y-150+中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

针脚数 28

时钟频率 150 GHz

存取时间 150 ns

内存容量 32000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

长度 39.37 mm

宽度 18.8 mm

高度 9.35 mm

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Each

制造应用 Embedded Design & Development

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DS1230Y-150+引脚图与封装图
DS1230Y-150+引脚图

DS1230Y-150+引脚图

DS1230Y-150+封装图

DS1230Y-150+封装图

DS1230Y-150+封装焊盘图

DS1230Y-150+封装焊盘图

在线购买DS1230Y-150+
型号 制造商 描述 购买
DS1230Y-150+ Maxim Integrated 美信 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-150+  芯片, 存储器, NVRAM 搜索库存
替代型号DS1230Y-150+
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DS1230Y-150+

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: DIP 32000B 5V 150ns 28Pin

当前型号

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-150+  芯片, 存储器, NVRAM

当前型号

型号: DS1230Y-150

品牌: 美信

封装: DIP 32000B 5V 150ns 28Pin

完全替代

IC NVSRAM 256Kbit 150NS 28DIP

DS1230Y-150+和DS1230Y-150的区别

型号: DS1230AB-150+

品牌: 美信

封装: DIP 256000B 5V 150ns 28Pin

类似代替

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230AB-150+  芯片, 存储器, NVRAM

DS1230Y-150+和DS1230AB-150+的区别

型号: DS1230Y-100+

品牌: 美信

封装: DIP 32000B 5V 100ns 28Pin

类似代替

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-100+  NVSRAM, 256K, FULLY STATIC, 1230 新

DS1230Y-150+和DS1230Y-100+的区别