CTLDM8120-M621H TR

Central Semiconductor 电子元器件分类

CTLDM 系列 20 V 150 mOhm P沟道表面贴装硅 Mosfet - TML-621H

表面贴装型 P 通道 950mA（Ta） 1.6W（Ta） TLM621H

得捷:
MOSFET P-CH 20V 950MA TLM621H

富昌:
CTLDM 系列 20 V 150 mOhm P沟道表面贴装硅 Mosfet - TML-621H

CTLDM8120-M621H TR中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 200pF @16VVds

耗散功率Max 1.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 XFDFN-6

外形尺寸

封装 XFDFN-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CTLDM8120-M621H TR引脚图与封装图

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