CL32B226KAJNFNE
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL32B226KAJNFNE中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25 V
绝缘电阻 10 GΩ
电容 22 µF
容差 ±10 %
产品系列 High Frequency
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
精度 ±10 %
额定电压 25 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 3225
封装 1210
外形尺寸
长度 3.2 mm
宽度 2.5 mm
高度 2.5 mm
封装公制 3225
封装 1210
厚度 2.5 mm
物理参数
材质 X7R/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 2000
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CL32B226KAJNFNE引脚图与封装图 
CL32B226KAJNFNE引脚图
CL32B226KAJNFNE封装图
CL32B226KAJNFNE封装焊盘图
在线购买CL32B226KAJNFNE
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL32B226KAJNFNE | Samsung 三星 | 1210 22 uF 25 V ±10 % X7R 表面贴装 多层陶瓷电容 | 搜索库存 |
替代型号CL32B226KAJNFNE
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL32B226KAJNFNE 品牌： Samsung 三星 封装： 1210（3225 22uF 25V ±10% | 当前型号 | 1210 22 uF 25 V ±10 % X7R 表面贴装 多层陶瓷电容 | 当前型号 |
| 型号： CL32B226KAJNNWE 品牌： 三星 封装： 1210 22uF ±10% 25V | 完全替代 | 22uF226 ±10% 25V 编带 | CL32B226KAJNFNE和CL32B226KAJNNWE的区别 |
| 型号： CL32A226KAJNNNE 品牌： 三星 封装： 1210 22uF 25V 10per | 功能相似 | Samsung 1210 MLCC 系列一般多层陶瓷片状电容器高度可靠的容差，可在印刷电路板上高速自动放置芯片 宽电容范围 宽温度补偿和电压范围：从 C0G 至 Y5V 和从 6.3V 至 50V 高度可靠的性能 高耐端接金属 应用包括：HHP、DSC、DVC、LCD、电视、内存模块、PDA、游戏机； 调谐器（产品代码 C 适合） 对于特殊用途，如军事、医药、航空、汽车设备应，应遵守特殊规格 ### 1210 系列 | CL32B226KAJNFNE和CL32A226KAJNNNE的区别 |
| 型号： CL32B226KAJNNNE 品牌： 三星 封装： 1210 22µF 25V ±10% | 功能相似 | CL32 系列 1210 22 uF 25 V ±10 % X7R 表面贴装 多层陶瓷电容 | CL32B226KAJNFNE和CL32B226KAJNNNE的区别 |