CDM2206-800LR
数据手册.pdf
Central Semiconductor
电子元器件分类
CDM2206-800LR中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 110 W
上升时间 22.7 ns
下降时间 25.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CDM2206-800LR引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CDM2206-800LR | Central Semiconductor | CDM2206 系列 800 v 950 mOhm N-沟道 LR 功率 Mosfet - TO-220-3 | 搜索库存 |