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CE3514M4-C2

CE3514M4-C2

数据手册.pdf
California Eastern Laboratories 主动器件

Trans FET 4V 68mA 4Pin Case M04 T/R

RF Mosfet pHEMT FET 2V 15mA 12GHz 12.2dB 125mW 4-Super Mini Mold


得捷:
RF MOSFET PHEMT FET 2V


立创商城:
CE3514M4-C2


贸泽:
NEC 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C


艾睿:
Trans RF MOSFET 4V 0.068A 4-Pin Case M04 T/R


Verical:
Trans RF MOSFET 4V 0.068A 4-Pin Case M04 T/R


CE3514M4-C2中文资料参数规格
技术参数

频率 12 GHz

耗散功率 125 mW

输出功率 125 mW

增益 12.2 dB

测试电流 15 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125 mW

额定电压 4 V

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CE3514M4-C2引脚图与封装图
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在线购买CE3514M4-C2
型号 制造商 描述 购买
CE3514M4-C2 California Eastern Laboratories Trans FET 4V 68mA 4Pin Case M04 T/R 搜索库存
替代型号CE3514M4-C2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CE3514M4-C2

品牌: California Eastern Laboratories

封装: SOT-343 125mW

当前型号

Trans FET 4V 68mA 4Pin Case M04 T/R

当前型号

型号: CE3514M4

品牌: California Eastern Laboratories

封装:

功能相似

Trans FET 4V 68mA 4Pin Case M04 T/R

CE3514M4-C2和CE3514M4的区别