CL32B104MBFNNNE
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL32B104MBFNNNE中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 0.1 µF
容差 ±20 %
电介质特性 X7R
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 3225
封装 1210
外形尺寸
长度 3.2 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.25 mm
封装公制 3225
封装 1210
物理参数
材质 X7R/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 2000
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CL32B104MBFNNNE引脚图与封装图
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在线购买CL32B104MBFNNNE
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL32B104MBFNNNE | Samsung 三星 | 1210 100nF ±20% 50V X7R | 搜索库存 |
替代型号CL32B104MBFNNNE
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL32B104MBFNNNE 品牌： Samsung 三星 封装： 1210 100nF 50V ±20% | 当前型号 | 1210 100nF ±20% 50V X7R | 当前型号 |
| 型号： CL32B104KBFNNNE 品牌： 三星 封装： 1210 100nF 50V ±10% | 类似代替 | Samsung 1210 MLCC 系列卷装### 1210 系列 | CL32B104MBFNNNE和CL32B104KBFNNNE的区别 |
| 型号： CL32B104KCFNNNE 品牌： 三星 封装： 1210 100nF 100V ±10% | 功能相似 | CL32 系列 1210 0.1 uF 100 V 10 % X7R SMD 多层陶瓷电容 | CL32B104MBFNNNE和CL32B104KCFNNNE的区别 |
| 型号： CL32B104KCFNNWE 品牌： 三星 封装： 1210 100nF 100V ±10% | 功能相似 | 1210 100nF ±10% 100V X7R | CL32B104MBFNNNE和CL32B104KCFNNWE的区别 |