C2012C0G1H682J/10
数据手册.pdfTDK(东电化)
被动器件
C2012C0G1H682J/10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 0.0068 µF
容差 ±5 %
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2.00 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape, Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
C2012C0G1H682J/10引脚图与封装图 
C2012C0G1H682J/10引脚图
C2012C0G1H682J/10封装图
C2012C0G1H682J/10封装焊盘图
在线购买C2012C0G1H682J/10
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| C2012C0G1H682J/10 | TDK 东电化 | Cap Ceramic 0.0068uF 50V C0G 5% Pad SMD 0805 125℃ | 搜索库存 |
替代型号C2012C0G1H682J/10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： C2012C0G1H682J/10 品牌： TDK 东电化 封装： 0805 6.8nF 50V ±5% | 当前型号 | Cap Ceramic 0.0068uF 50V C0G 5% Pad SMD 0805 125℃ | 当前型号 |
| 型号： C2012C0G1H682J060AA 品牌： 东电化 封装： 2012 6.8nF 50V 5per | 完全替代 | TDK C 型 0805 系列 C0G、X6S、X7R、X7S、X7T、X8R、Y5V 电介质高电容，采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR，低自加热且耐高纹波 商用级，适用于一般应用，包括 一般电子设备；移动通信设备；电源电路；办公自动化设备；电视、LED 显示屏；服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层，应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料，X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料，Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。 | C2012C0G1H682J/10和C2012C0G1H682J060AA的区别 |
| 型号： C2012NP01H682J060AA 品牌： 东电化 封装： 0805 6.8nF 5per 50V | 功能相似 | 0805 6.8nF ±5% 50V NPO | C2012C0G1H682J/10和C2012NP01H682J060AA的区别 |
| 型号： C2012C0G1H682K060AA 品牌： 东电化 封装： 2012 6.8nF 10per 50V | 功能相似 | 0805 6.8nF ±10% 50V C0G | C2012C0G1H682J/10和C2012C0G1H682K060AA的区别 |