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CL32C113JBHNNNF

CL32C113JBHNNNF

数据手册.pdf
Samsung(三星) 被动器件

1210 11nF ±5% 50V C0G

±5% 50V 陶瓷器 C0G,NP0 1210(3225 公制)


得捷:
CAP CER 0.011UF 50V NP0 1210


艾睿:
Cap Ceramic 0.011uF 50V C0G 5% Pad SMD 1210 125°C T/R


安富利:
Cap Ceramic 0.011uF 50V C0G 5% SMD 1210 125°C Embossed Plastic T/R


儒卓力:
**KC 11nF 1210 5% 50V NP0 upgrade **


CL32C113JBHNNNF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

电容 0.011 µF

容差 ±5 %

电介质特性 C0G/NP0

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3225

封装 1210

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.6 mm

封装公制 3225

封装 1210

物理参数

材质 C0G/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2000

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

CL32C113JBHNNNF引脚图与封装图
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在线购买CL32C113JBHNNNF
型号 制造商 描述 购买
CL32C113JBHNNNF Samsung 三星 1210 11nF ±5% 50V C0G 搜索库存
替代型号CL32C113JBHNNNF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CL32C113JBHNNNF

品牌: Samsung 三星

封装: 1210 11nF 50V ±5%

当前型号

1210 11nF ±5% 50V C0G

当前型号

型号: CL32C113JBHNNNE

品牌: 三星

封装: 1210 11nF 50V ±5%

完全替代

1210 11nF ±5% 50V C0G

CL32C113JBHNNNF和CL32C113JBHNNNE的区别