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CY7C1513AV18-200BZI

CY7C1513AV18-200BZI

数据手册.pdf

72兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 72Mb 4M x 18 Parallel 200MHz 165-FBGA 15x17


立创商城:
CY7C1513AV18-200BZI


贸泽:
SRAM 4Mx18 1.8V QDR-II 4-Word Burst


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1513AV18-200BZI中文资料参数规格
技术参数

存取时间 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

CY7C1513AV18-200BZI引脚图与封装图
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在线购买CY7C1513AV18-200BZI
型号 制造商 描述 购买
CY7C1513AV18-200BZI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 72兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture 搜索库存
替代型号CY7C1513AV18-200BZI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C1513AV18-200BZI

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: 165-LBGA

当前型号

72兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

当前型号

型号: CY7C1513KV18-200BZXI

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

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